项目名称：无源光子芯片的设计与流片

项目编号：西交材招（2025）007

项目联系人：周老师

项目联系电话：15327365245

采购单位联系方式：

采购单位：西安交通大学材料学院

采购联系人：黄小燕 邮箱：huangxiaoyan@mail.xjtu.edu.cn

联系地址：西安市咸宁西路28号西安交通大学仲英楼A223室

一、采购项目的名称、数量、简要规格描述或项目基本概况介绍：

项目名称：无源光子芯片的设计与流片

数量：16个

简要规格描述：相变材料在激光/电热脉冲作用下能够发生快速相变，且不同相之间具有高达30%的透射率差异，可用于实现数据存储。此外，相变材料在不同脉冲作用下具有不同的透射率差异，有望构建出相变器件阵列实现类脑计算。氮化硅波导具有超低损耗和超大光功率承载能力，相变材料和氮化硅波导的融合可以更大的发挥光致相变材料的优势。根据实际流片设计需求，本次采购需在Ligentec进行无源芯片设计与流片，需要供应商具备硅基氮化硅芯片仿真、设计能力与实际流片经验，所流片无源光芯片的主要参数指标汇总如下：

1. 光芯片尺寸：10.5mm x 4.85mm x 0.234mm

2. 光芯片数量：16个

3. 氮化硅波导厚度：350nm

4. 氧化硅上包层厚度：100nm

5. 氧化硅下包层厚度：5um

6. 最小波导宽度：200nm

7. 最小波导间距：300nm

8. 波导损耗：<9dB/m(波导宽度1um @1550nm)

9. 最小弯曲半径：50um

10. 光栅耦合器损耗：7.7dB(@1550nm)

11. 1x2 MMI分光器损耗：0.09dB(@1550nm）

12. 工作温度:<400℃

13. 回片时间：3月10日Tape-Out,9月30日前回片

14. 光刻marker：数量和尺寸需满足后道刻蚀工艺的需求

15. 如果发现样片质量问题可更换，由此产生的一切费用由供应商负责

二、对供应商资格要求（供应商资格条件）：

（一）供应商的资格要求：
1.符合《政府采购法》及其实施条例对投标人资格的要求；
2.具有独立法人资格及相关证照，具有良好信誉及合同履行能力，具有良好资金、财务状况；
3.供应商应为所提供产品的生产企业，或具有所提供生产企业出具的针对本项目的产品授权书；
4.供应商不得被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为名单记录；
5.本项目不接受联合体投标；
6.其他要求：本项目特殊要求在技术规格指标中列明。
（二）供应商报名方式：

符合本公告要求的供应商，填写附件《供应商报名登记表》并由法定代表人、委托代理人分别签字并加盖单位公章后，彩色扫描成PDF文件后发送给采购单位联系人邮箱。

三、采购文件的发售时间及地点等：

磋商时间：2025年3月4日

地点：西安交通大学兴庆校区材料学院

获取磋商文件时间: 2025年2月25日-3月3日18点

获取磋商文件方式：报名审核通过的供应商由采购联系人以邮件形式发送标书要求。

响应文件递交时间：2025年3月4日

响应文件递交地址：西安市咸宁西路28号西安交通大学仲英楼

响应文件开启时间：2025年3月4日

响应文件开启地点：西安市咸宁西路28号西安交通大学仲英楼